本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱，用共振激发，共振喇曼和共振瑞昨散射等方法对各发光谱带......

采用光致荧光发射谱（PL）和时间分辨荧光发射谱（TRPL）研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先......